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專利名稱(中)	高熵過渡金屬層狀結構氧化物、正極材料以及鈉離子電池
專利名稱(英)	HIGH-ENTROPY TRANSITION METAL LAYERED OXIDES, POSITIVE ELECTRODE MATERIAL, AND SODIUM ION BATTERY
專利家族	中華民國：202345443(公開號) 美國：US-2023-0369581-A1(公開號)
專利權人	國立清華大學 100%
發明人	陳翰儀,林佳慶,康晉瑋
技術領域	材料化工,能源科技

專利摘要(中)
一種高熵過渡金屬層狀結構氧化物，是下式(1)表示的O3型高熵過渡金屬層狀結構氧化物。 Na[NiaFebMncM1dM2e]O2 (1) 式(1)中，M1與M2是選自由V、Cr、Co、Cu、Zn及Ti組成的群組，a＋b＋c＋d＋e=1，0.05≤a≤0.35，0.05≤b≤0.35，0.05≤c≤0.35，0.05≤d≤0.35，且0.05≤e≤0.35。