專利授權區 | |
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專利名稱(中) | 低電壓一次性寫入記憶體及其陣列 |
專利名稱(英) | LOW VOLTAGE ONE-TIME-PROGRAMMABLE MEMORY AND ARRAY THEREOF |
專利家族 |
中華民國:I795275 美國:2023-0343403(公開號) |
專利權人 | 國立清華大學 100% |
發明人 | 金雅琴,林崇榮,黃耀弘 |
技術領域 | 通信傳輸,光電光學,電子電機 |
專利摘要(中) |
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本發明提供一種低電壓一次性寫入記憶體,包含第一導電層、第一通孔、第二導電層、選擇電晶體、第二通孔及第三導電層。第一通孔電性連接第一導電層。第二導電層電性連接第一通孔。選擇電晶體電性連接第二導電層。第二通孔電性連接於第二導電層。第三導電層電性連接第二通孔。其中,流經第二通孔之第一電流為流經第一通孔之第二電流與流經選擇電晶體之第三電流之和。藉此,本發明之低電壓一次性寫入記憶體移除習知一次性寫入記憶體中的高電壓輸入/輸出電晶體,僅需透過低電壓驅動低電壓核心電晶體。 |
聯絡資訊 | |
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承辦人姓名 | 李曉琪 |
承辦人電話 | 03-5715131 #31061 |
承辦人Email | hsiaochi@mx.nthu.edu.tw |