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| 專利名稱(中) | 金氧半場效電晶體之閘極介電層的氮化方法 |
| 專利名稱(英) | METHOD FOR NITRIFYING GATE DIELECTRICS OF MOSFET |
| 專利家族 |
中華民國：I378500 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 傅崇豪,張廖貴術 |
| 技術領域 | 電子電機 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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