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| 專利名稱(中) | 自旋軌道扭力式磁性隨存記憶體及其寫入方法 |
| 專利名稱(英) | SPIN-ORBIT TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY AND METHOD FOR WRITING THEREOF |
| 專利家族 |
中華民國：I581261 大陸：3461522 |
| 專利權人 | 國立清華大學 100% |
| 發明人 | 蔡明翰,王鼎碩,黃國峰,林秀豪,賴志煌 |
| 技術領域 | 材料化工,電子電機 |
 專利摘要(中) |
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| 一种自旋轨道扭力式磁性随存储存器及其写入方法。该自旋轨道扭力式磁性随存储存器包含一基板，及一设置于该基板并具有一磁性自由层的自旋轨道扭力式记忆胞。该磁性自由层包括彼此接触的至少一铁磁性第一金属膜及至少一呈自旋霍尔效应的第二金属膜。该第一金属膜具有一足以使该磁性自由层具有一介于±0.9的残留磁化量对饱和磁化量的比值的厚度。该比值是在沿着该第一金属膜的一难轴对该磁性自由层依序提供与释放一足以使该磁性自由层达该饱和磁化量的第一外加磁场后所达成，从而令该第一金属膜在沿着其难轴对磁性自由层提供一远小于该第一外加磁场的第二外加磁场与一交流脉冲电讯号以达其所产生的临界电流密度以上时，具有3级以上的磁域。 |
 聯絡資訊 |
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| 承辦人姓名 | 楊美茹 |
| 承辦人電話 | 03-5715131 #62305 |
| 承辦人Email | mjyang2@mx.nthu.edu.tw |
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